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薄膜半導體材料制備系統

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狹縫擠出型涂布機參考價：面議
狹縫擠出型涂布機，適用于高精度大面積表面涂布，平板型或卷對卷涂布。應用領域：大學科研，柔性基板，觸摸屏等。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統涂布機

2025/12/4 11:06:19114
派瑞林真空鍍膜機參考價：面議
派瑞林真空鍍膜機，用于隔熱的門加熱器：最高 200 °C。汽化溫度設置：最多 10 步（溫度和時間）。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統派瑞林真空鍍膜機

2025/12/4 11:03:53137
等離子體增強化學氣相沉積參考價：面議
等離子體增強化學氣相沉積，通常選用射頻淋浴源(RF)或帶有不規則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應源產生等粒子體。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統MBE 系統

2025/12/4 11:01:24155
等離子體增強原子層沉積系參考價：面議
等離子體增強原子層沉積系，原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體源，化學吸附至表面飽和時自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附...
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統MBE 系統

2025/12/4 10:59:19116
MOKE系統參考價：面議
MOKE系統：超高真空系統用于對超薄磁膜和多層電子束蒸發的薄膜沉積進行現場實時磁光克爾效應研究。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統MOKE系統

2025/12/4 10:57:04108
多功能鍍膜系統參考價：面議
多功能鍍膜系統滿足研究所和研發部門對真空薄膜沉積的性能要求，占用空間小，具有超高的性價比，可以向客戶提供優質的服務。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統多功能鍍膜系統

2025/12/4 10:55:10201
MBE 系統參考價：面議
MBE 系統根據蒸發源的類型和數量以及基板大小，可提供不同的標準襯底尺寸：直徑300mm、直徑450mm 和直徑570mm（根據要求的其他尺寸）。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統MBE 系統

2025/12/4 10:53:10172
TPD系統參考價：面議
TPD系統用于測量超薄薄膜吸附/脫吸的獨立系統，能夠在較寬溫范圍內進行高精度溫度控制。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統TPD系統

2025/12/4 10:50:59160
快速退火爐參考價：面議
快速退火爐，采用革新的加熱技術，可實現真正的基底溫度測量，不需要采用傳統快速退火爐的溫度補償，溫度控制精確，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及科研團...
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統快速退火爐

2025/12/4 10:48:44105
超高真空多腔室物理氣相沉參考價：面議
超高真空多腔室物理氣相沉系統由全球專業的沉積設備商制造,配置多種沉積方式(預留各種功能接口),高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統超高真空多腔室物理氣相沉

2025/12/4 10:46:4095
超高真空磁控濺射系統參考價：面議
超高真空磁控濺射系統，襯底支架符合最大300mm直徑的晶片需求，并可對晶片加熱至850°C及加載RF偏壓。磁控濺射系統可按客戶需求增減其他窗口用于諸如殘余氣體分...
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統超高真空磁控濺射系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統脈沖激光分子束外延系統

2025/12/4 10:45:0099
納米顆粒和薄膜的模塊化PVD系統參考價：面議
納米顆粒和薄膜的模塊化PVD系統是一種多功能的 PVD 系統，能夠生成納米顆粒和薄膜，非常適合工業和學術研究。NL-FLEX 能夠容納任何類型的基材，包括卷對卷...
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統脈沖激光分子束外延系統納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統納米顆粒和薄膜的模塊化PVD系統

2025/12/4 10:43:1199
納米顆粒和薄膜UHV沉積系統參考價：面議
納米顆粒和薄膜UHV沉積系統，服務于廣泛的應用，包括催化、光子學、儲能、傳感器和生命科學。該UHV 沉積系統可以與分析工具集成，為您的研究需求提供定制的解決方案...
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統濺射儀納米顆粒和薄膜UHV沉積系統脈沖激光沉積系統脈沖激光分子束外延系統

2025/12/4 10:40:50133
臺式納米顆粒沉積系統（納米團簇）參考價：面議
臺式納米顆粒沉積系統（納米團簇），專為共享研究或教學實驗室而設計，學生和研究人員可以在各種納米技術項目中并行使用，而不必擔心交叉污染。應用包括催化、光子學、儲能...
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統濺射儀離子濺射儀脈沖激光沉積系統脈沖激光分子束外延系統

2025/12/4 10:38:59107
脈沖激光沉積系統參考價：面議
脈沖激光沉積系統，基板:采用適合于氧氣環境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達1200攝氏度，溫度差3%，加熱時基板可旋轉，工作環境最大壓力是300mtorr。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統濺射儀離子濺射儀脈沖激光沉積系統脈沖激光分子束外延系統

2025/12/4 10:37:09134
脈沖激光分子束外延系統參考價：面議
脈沖激光分子束外延系統主要配置：主腔室，樣品傳輸腔，1100度加熱系統，樣品旋轉，PLD靶材操控器及光路，K-cell熱蒸發源，電子束蒸發源，射頻RF離子源。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統濺射儀離子濺射儀脈沖激光沉積系統脈沖激光分子束外延系統

2025/12/4 10:34:41131
磁控濺射儀參考價：面議
磁控濺射儀，配置load-lock，可放置5片6英寸樣品，在高真空狀態下，由電動馬達分別傳送每片樣品，順序濺射每片樣品，逐一完成5片濺射鍍膜。
型號：廠商性質：代理商所在地：上海市對比

薄膜半導體材料制備系統濺射儀離子濺射儀磁控濺射儀

2025/12/4 10:32:53150

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